FD6187T是一款集成三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動MOSFET設計。
FD6187T內置欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。
FD6187T內置直通防止和死區時間，防止被驅動的高低側MOSFET直通，有效保護功率器件。
FD6187T內置輸入信號濾波，防止輸入噪聲干擾。

FD6288Q是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動MOSFET設計，可在高達+250V電壓下工作。
FD6288Q內置VCC/VBS欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。
FD6288Q內置直通防止和死區時間，防止被驅動的高低側MOSFET直通，有效保護功率器件。
FD6288Q內置輸入信號濾波，防止輸入噪聲干擾。

FD6288T是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動MOSFET設計，可在高達+250V電壓下工作。
FD6288T內置VCC/VBS欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。
FD6288T內置直通防止和死區時間，防止被驅動的高低側MOSFET直通，有效保護功率器件。
FD6288T內置輸入信號濾波，防止輸入噪聲干擾。

FD6287T是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動MOSFET設計，可在高達+250V電壓下工作。
FD6287T內置VCC/VBS欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。
FD6287T內置直通防止和死區時間，防止被驅動的高低側MOSFET直通，有效保護功率器件。
FD6287T內置輸入信號濾波，防止輸入噪聲干擾。

FD6636S是一款集成三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動MOSFET和IGBT設計，可在高達+600V電壓下工作。 FD6636S內置直通防止和死區時間，防止被驅動的高低側MOSFET或IGBT直通而產生大電流燒毀功率器件，有效保護功率器件。 FD6636S內置VCC/VBS欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD6636S內置輸入噪聲濾波功能，防止噪聲干擾。 FD6636S集成過流保護功能，并指示欠壓和過流故障狀態，同時關斷六通道輸出。 FD6636S集成使能關斷功能，同時關斷六通道輸出。

FD2024S是一款雙低端柵極驅動芯片，內置VCC欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作，提高效率。

FD2109S是一款半橋柵極驅動電路芯片，設計用于高壓、高速驅動N型功率MOSFET。
FD2109S內置欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電源電壓下工作而對功率管產生損壞。
FD2109S內置直通防止保護和死區時間，防止功率管發生直通，有效防止半橋功率器件損壞。

FD2103S是一款半橋柵極驅動電路芯片，設計用于高壓、高速驅動N型功率MOSFET。
FD2103S內置欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作，提高效率。
FD2103S內置直通防止和死區時間，防止功率管發生直通，有效保護功率器件。

FD2203S是一款半橋柵極驅動電路芯片，設計用于高壓、高速驅動N型功率MOSFET，可在高達+250V電壓下工作。
FD2203S內置欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作，提高效率。
FD2203S內置輸入信號濾波，防止輸入噪聲干擾。
FD2203S內置直通防止和死區時間，防止功率管發生直通，有效保護功率器件。

FD2607S 是高壓、高速半橋柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2607S 內置 VCC 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。
FD2607S 內置防直通保護和死區時間，防止功率管發生直通，有效防止半橋功率器件損壞。